光通信的信息载体是光波, 为了进一步提高光通信系统中光信号的传输质量, 满足光通信系统的使用要求, 上海伯东美国 KRi 离子源通过离子束溅射, 辅助薄膜沉积等工艺在离子束镀膜系统中实现光模块, 光器件等薄膜元件的精密加工. 离子源典型应用例如, 在光纤连接面镀 AR 增透膜 (减反射膜), 达到减少光纤对光的损耗, 增加光的透过率, 减少反射的工艺效果.
与国产离子源对比, 上海伯东美国 KRi 射频离子源主要特点
无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 单次工艺时间更长, 非常适用于复杂, 精密的多层薄膜制备
提供致密, 光滑, 无针孔, 耐用的薄膜
远离等离子体: 低基材温度, 不需要偏压衬底
溅射任何材料, 不需要射频溅射电源
清洁, 低污染工艺
优良的反应沉积工艺, 沉积原子为坚硬, 耐用的薄膜保留溅射能量
可控制的离子能量, 离子电流密度
KRi 离子源在 IBSD 离子束溅射沉积应用
通常安装两个离子源
主要溅射沉积源和二次预清洁 / 离子辅助源
一次气源为惰性气体, 二次气源为惰性或反应性气体
基板远离溅射目标
工艺压力在小于? 10-4 torr
美国 KRi RFICP 射频离子源技术参数
型号 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 阳极 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 |
离子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
离子动能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
栅极直径 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
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流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型压力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
长度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直径 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.
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