上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD.
e-beam 电子束蒸发系统加装 KRi 离子源作用
通过向生长的薄膜中添加能量来增强分子动力学, 以增加表面和原子/分子的流动性, 从而导致薄膜的致密化.
通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到化学计量完整材料.
使用美国 KRi 考夫曼离子源可以实现
增强和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改进, 控制薄膜化学计量, 提高折射率, 降低薄膜应力, 控制薄膜微观结构和方向, 提高薄膜温度和环境稳定性, 增加薄膜附着力, 激活表面, 薄膜界面和表面平滑, 降低薄膜吸收和散射, 增加硬度和耐磨性.
KRi KDC 考夫曼离子源典型案例:
设备: e-beam 电子束蒸发系统
离子源型号: KDC 75
应用: IBAD 辅助镀膜, 在玻璃上镀上高反射率膜 (光栅的镀膜)
离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积
上海伯东美国 KRi 离子源适用于各类沉积系统 (电子束蒸发或热蒸发, 离子束溅射, 分子束外延, 脉冲激光沉积), 实现 IBAD 辅助镀膜
美国 KRi KDC 考夫曼型离子源技术参数：
型号 | KDC 10 | KDC 40 | KDC 75 | KDC 100 | KDC 160 |
Discharge 阳极 | DC 电流 | DC 电流 | DC 电流 | DC 电流 | DC 电流 |
离子束流 | >10 mA | >100 mA | >250 mA | >400 mA | >650 mA |
离子动能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
栅极直径 | 1 cm Φ | 4 cm Φ | 7.5 cm Φ | 12 cm Φ | 16 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
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流量 | 1-5 sccm | 2-10 sccm | 2-15 sccm | 2-20 sccm | 2-30 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型压力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
长度 | 11.5 cm | 17.1 cm | 20.1 cm | 23.5 cm | 25.2 cm |
直径 | 4 cm | 9 cm | 14 cm | 19.4 cm | 23.2 cm |
中和器 | 灯丝 | ||||
上海伯东美国 KRi 离子源 KDC 系列适用于标准和新兴材料工艺. 在原子水平上工作的能力使 KDC 离子源能够有效地设计具有纳米精度的薄膜和表面. 无论是密度压实, 应力控制, 光学传输, 电阻率, 光滑表面, 提高附着力, 垂直侧壁和临界蚀刻深度, KDC 离子源都能产生有益的材料性能. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.
上海伯东同时提供 e-beam 电子束蒸发系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发更高质量的设备.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.
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