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KRI 离子源应用于电子束蒸镀设备

价格:面议浏览:167次联系:张婷婷 / 15021001340 / 0755-25473928企业:伯东贸易(深圳)有限公司留言店铺收藏

KRI 离子源应用于电子束蒸镀设备 E-beam Evaporation System
特殊的系统设计电子束沉积是一种实用且高度可靠的系统, 上海伯东某客户电子束蒸镀系统可针对量产使用单一大坩埚也可以有多个坩埚来达到产品多层膜结构, 在基板乘载上对应半导体研究和大型设备设计单片和多片公自转的设计. 为了获得最大的制程灵活性, 可以结合考夫曼离子源进行离子辅助沉积或者预清洁等功能.
KRI 离子源应用于电子束蒸镀设备
电子束蒸镀设备
----------- 电子束蒸镀设备 E-beam Evaporation System ----------
上海伯东 KRI 射频离子源 RFICP 参数:

型号

RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 阳极

RF 射频

RF 射频

RF 射频

RF 射频

RF 射频

离子束流

>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径

4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

 

流量

3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

长度

12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直径

13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器

LFN 2000


上海伯东美国 KRI 提供霍尔离子源, 考夫曼离子源和射频离子源, 历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解详细信息或讨论,   请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: 86-21-5046-1322                   T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490                        F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076                     M: 886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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