供应

薄膜表面粗糙度与机械零件的配合性质、耐磨性、疲劳强度、接触刚度、振动和噪声等有重要关系, 直接决定机械产品的使用寿命和可靠性. 因此, 某薄膜制造商为了获得优质的 Cu 薄膜, 采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 、霍尔离子源 eH 2000 和 分子泵组 Hicube 30 Eco 辅助溅射沉积 Cu 薄膜.

 

该制造商的镀膜机设备采用双离子束溅射沉积系统, 该设备的本底真空为5x10-5 Pa, 溅射气体使用 Ar  粒子, 靶材成分为 99.99% Cu, 衬底为硅片.

 

其双离子束溅射沉积系统工作示意图如下：

 

 

其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗.

 

用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380,

 

伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数：

射频离子源型号	RFICP 380
Discharge 阳极	射频 RFICP
离子束流	>1500 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	30 cm Φ
离子束	聚焦
流量	15-50 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	39 cm
直径	59 cm
中和器	LFN 2000

 

推荐理由：

聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

 

用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 2000

 

伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 2000 技术参数:

离子源型号	霍尔离子源 eH2000
Cathode/Neutralizer	F or HC
电压	50-300V
电流	10A
散射角度	>45?
可充其他	Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
气体流量	2-75sccm
高度	4.0“
直径	5.7“
水冷	是

 

其溅射室需要沉积前本底真空抽到1?10-5Pa, 经推荐采用伯东分子泵组 Hicube 30 Eco, 其技术参数如下：

分子泵组 Hicube 30 Eco 技术参数

泵组型号	进气法兰	分子泵 型号	抽速 氮气l/s	极限真空  hPa	前级泵型号	前级泵 抽速 m?/h
Hicube 30 Eco	DN 40 ISO-KF	Hipace 30	22	1X10-7	MVP 030-3	1.8

 

实际运行结果：

双离子束溅射制备的薄膜由于其他方法生长的薄膜, 薄膜的表面平整度、厚度均匀性更好绝对沉积角必须要避开 25?附件的位置, 这一位置的粗糙度太大, 生长出的薄膜表面的各方面性质远低于其他位置

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: 86-21-5046-1322                   T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490                        F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076                     M: 886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯东版权所有, 翻拷必究!