供应

为了得到最佳性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜, 某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W 膜.

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

上图为磁控溅射系统工作示意图

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此伯东的KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 被客户采用作为 4, 5 溅射离子源.

客户材料:

基片为φ25mmX4mm 的玻璃片, W 靶纯度 99.9%, 尺寸 φ76mmX4mm, 铜靶纯度 99.99%, 尺寸 φ76mmX4mm, 工作气体为纯度 99.99% 的氩气.

运行结果:

当 W 含量在11.1%时, Cu-W 薄膜具有最好的硬度和耐磨性.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: 86-21-5046-1322                   T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490                        F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076                     M: 886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯东版权所有, 翻拷必究!