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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 成功用于多靶磁控溅射镀膜机

价格:面议浏览:158次联系:张婷婷 / 15021001340 / 0755-25473928企业:伯东贸易(深圳)有限公司留言店铺收藏

某 OEM 厂商为了提高镀膜机镀膜的品质, 其为客户搭建的多靶磁控溅射镀膜机的溅射源采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380, 清洗源采用 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000, 真空腔体搭配的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 HiPace 2300.

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号

RFICP380

Discharge 阳极

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

 

KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:

离子源型号

eH3000

eH3000LO

eH3000MO

Cathode/Neutralizer

HC

电压

50-250V

50-300V

50-250V

电流

20A

10A

15A

散射角度

>45

可充气体

Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others

气体流量

5-100sccm

高度

6.0“

直径

9.7“

水冷

可选

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

 

涡轮分子泵 HiPace 2300 技术参数:

型号

接口 DN

抽速 l/s

压缩比

最高启动压强hPa

极限压力

全转速气体流量hPa l/s

启动时间

重量

进气口

排气口

氮气N2

氦气He

氢气 H2

氮气N2

氮气N2

hPa

氮气N2

min

kg

HiPace 2300

250

40

1,900

2,000

1,850

> 1X108

1.8

< 1X10–7

20

4

34 – 47

 

镀膜机实际运用案例:

采用多靶磁控溅射镀膜机在 UO_2 陶瓷 IFBA 芯块表面上溅射沉积 ZrB_2 涂层,与其他未引用 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵的多靶磁控溅射镀膜机相比, 引进 KRI 离子源和 Pfeiffer 分子泵后, 其镀制的 ZrB_2 涂层附着力明显提高, 涂层厚度更加均匀, 晶粒更加细小, 沉积率更高.

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: 86-21-5046-1322                   T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490                        F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076                     M: 886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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