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原子层沉积 ALD 是基于顺序使用气相化学过程的重要技术之一, 它可以被视为一种特殊类型的化学气相沉积 CVD . 多数 ALD反应使用两种或更多种化学物质（称为前驱物, 也称为“反应物”）. 这些前驱物以一种连续的且自我限制的方式, 一次与一种材料的表面反应. 通过多个 ALD 循环, 缓慢地沉积薄膜.
热沉积式的 ALD 需要较高的制程温度 (传统为 150-350?C). 上海伯东代理原子层沉积设备可以精准的控制 ALD 的制程, 薄膜的厚度和均匀度皆小于 /- 1％, 广泛应用于 OLED 和硅太阳能电池的钝化层, 微机电系统, 纳米电子学, 纳米孔结构薄膜, 光学薄膜, 薄膜封装技术等领域.
上海伯东原子层沉积设备配置和优点
ALD 具有许多优点, 例如出色的均匀性, 在复杂形状的基板表面上沉积的具有相同膜厚的膜保形性, 低温处理. 因此, ALD 被广泛应用于微电子, 纳米技术和生物技术领域中.
客制化的基板尺寸, 最大直径可达 300mm 晶圆
优异的薄膜均匀度小于 ?1％
较高的深宽比和复杂结构具有相同特性之薄膜沉积
薄膜具有高致密性
前驱物材料可多达 6种并可分别加热到 200?C
快速脉冲的气体输送阀, 反应时间为 10毫秒
通过稳定的温度控制, 将基板载台加热到 400?C
材料: Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, Ta2O5, ZnO, AZO, HfO2, SiO2, TiO2, GaO2, AlN, SiN, Pt … 等等
原子层沉积设备腔体和选件
原子层沉积设备腔体为铝腔或者不锈钢腔体, 其占地面积小, 可缩短制程时间, 通过使用水冷系统, 加热器或加热包来控制腔体温度.
设备可以与传送腔, 机械手臂和手套箱整合在一起, 搭配使用椭圆偏振光谱仪和高真空传送系统.

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