某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率, 同时提高晶圆的均匀度, 采用 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀.
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:
Ф4 inch X 6片 | 基板尺寸 | < Ф3 inch X 8片 |
样品台 | 样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转 | |
离子源 | 20cm 考夫曼离子源 | |
均匀性 | ?5% for 8”Ф | |
硅片刻蚀率 | 20 nm/min | |
温度 | <100 |
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
离子源型号 | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >800 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 20 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 30 cm |
直径 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量.
运用结果：
1. 有效去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率
2. 晶圆的均匀度得到良好提高
3. 晶圆的加工质量得到明显提高
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上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
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