供应

某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率, 同时提高晶圆的均匀度, 采用 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀.

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台.

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量.

运用结果：

1. 有效去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率

2. 晶圆的均匀度得到良好提高

3. 晶圆的加工质量得到明显提高

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