价格：面议浏览：146次联系：张婷婷 / 15021001340 / 0755-25473928企业：伯东贸易(深圳)有限公司留言店铺收藏
某芯片实验室为了解决芯片湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题, 引进伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于刻蚀硅微机械陀螺芯片.
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:
真空腔 | 1 set, 主体不锈钢,水冷 |
基片尺寸 | 1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷却, |
离子源 | ? 8cm 考夫曼离子源 KDC75 |
离子束入射角 | 0 Degree～? 90 Degree |
极限真空 | ≦1x10-4 Pa |
刻蚀性能 | 一致性: ≤?5% across 4” |
该实验室采用的 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：
离子源型号 | 离子源 KDC 75 |
Discharge | DC 热离子 |
离子束流 | >250 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 7.5 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-15 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 20.1 cm |
直径 | 14 cm |
中和器 | 灯丝 |
* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架
试验结果:
Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 刻蚀出的芯片表面平整、光滑,解决了湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题,并提高了刻蚀速率。
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: 86-21-5046-1322 T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490 F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076 M: 886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯东版权所有, 翻拷必究！
业务咨询：932174181 媒体合作：2279387437 24小时服务热线：15136468001 盘古机械网 － 全面、科学的机械行业免费发布信息网站 Copyright 2017 PGJXO.COM 豫ICP备12019803号