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硬盘磁头, 是硬盘读取数据的关键部件, 磁头的好坏在很大程度上决定着硬盘盘片的存储密度.
GMR 磁头的使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构, 这比以前的传统磁头和MR（Magneto Resisive）磁阻磁头更为敏感, 相对的磁场变化能引起来大的电阻值变化, 从而实现更高的存储密度.
某硬盘磁头制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于硬盘磁头镀制GMR磁头导电材料和磁性材料薄膜构.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数
Φ4 inch X 12片 | 基片尺寸 | Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
均匀性 | ?5% | |
硅片刻蚀率 | 20 nm/min | |
样品台 | 直接冷却,水冷 | |
离子源 | Φ20cm 考夫曼离子源 |
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
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伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
离子源型号 | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >800 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 20 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 30 cm |
直径 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现 GMR 磁头均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高 GMR 磁头的加工质量.
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