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hakuto 离子刻蚀机 10IBE 用于多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究

价格:面议浏览:173次联系:张婷婷 / 15021001340 / 0755-25473928企业:伯东贸易(深圳)有限公司留言店铺收藏

南京某材料科学学院结合 SiO2 纳米球掩膜与立柱刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅, 利用 hakuto 离子刻蚀机 10IBE 去除由荷能离子撞击所带来的损失层, 优化了多晶黑硅结构.

 

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:

基板尺寸

< Ф8 X 1wfr

样品台

直接冷却(水冷)0-90 度旋转

离子源

16cm 考夫曼离子源

均匀性

?5% for 4”Ф

硅片刻蚀率

20 nm/min

温度

<100

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE  离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

 

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数:

 离子源型号

 离子源 KDC 160 

Discharge

DC 热离子

离子束流

>650 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

16 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

2-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

中和器

灯丝

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 ? 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

 

采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 可以去除损伤层, 保持原有黑硅结构的基础上使表面结构更加光滑.

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: 86-21-5046-1322                   T: 886-3-567-9508 ext 161
F: 86-21-5046-1490                        F: 886-3-567-0049
M: 86 152-0195-1076                     M: 886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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