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南京某材料科学学院结合 SiO2 纳米球掩膜与立柱刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅, 利用 hakuto 离子刻蚀机 10IBE 去除由荷能离子撞击所带来的损失层, 优化了多晶黑硅结构.
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:
基板尺寸 | < Ф8 X 1wfr |
样品台 | 直接冷却（水冷）0-90 度旋转 |
离子源 | 16cm 考夫曼离子源 |
均匀性 | ?5% for 4”Ф |
硅片刻蚀率 | 20 nm/min |
温度 | <100 |
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160
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伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数：
离子源型号 | 离子源 KDC 160 |
Discharge | DC 热离子 |
离子束流 | >650 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 16 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-30 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
中和器 | 灯丝 |
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 ? 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 可以去除损伤层, 保持原有黑硅结构的基础上使表面结构更加光滑.
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