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重庆某研究所在在氮化硅刻蚀工艺研究中采用 hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE.
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:
真空腔 | 1 set, 主体不锈钢,水冷 |
基片尺寸 | 1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷却, |
离子源 | ? 8cm 考夫曼离子源 KDC75 |
离子束入射角 | 0 Degree～? 90 Degree |
极限真空 | ≦1x10-4 Pa |
刻蚀性能 | 一致性: ≤?5% across 4” |
该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75
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伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：
离子源型号 | 离子源 KDC 75 |
Discharge | DC 热离子 |
离子束流 | >250 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 7.5 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-15 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 20.1 cm |
直径 | 14 cm |
中和器 | 灯丝 |
针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损失的问题, 为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比, 采用 CF4, CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅, 通过调整气体流量比, 腔内压强及功率, 研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响.
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