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产品描述

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 100, 离子束可聚焦, 平行, 散射.

KRI 射频离子源属于大面积射频离子源, 离子束流: >350 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 流量(Typical flow):5-30 sccm

采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.

离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.

适用于离子溅镀和离子蚀刻, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 

美国 KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数：

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数:

型号	RFICP 100
Discharge	RFICP 射频
离子束流	>350 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	10 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	5-30 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	23.5 cm
直径	19.1 cm
中和器	LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

美国 KRI 射频离子源 RFICP 100 应用领域：

伯东KRI 考夫曼离子源 RFICP 100 应用领域:

1. 预清洗

2. 表面改性

3. 辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,

4. 溅镀和蒸发镀膜 PC

5. 离子溅射沉积和多层结构 IBSD

6. 离子蚀刻 IBE