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产品描述

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.

尺寸: 直径= 3.7“  高= 3”

放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a

操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

美国 KRI 霍尔离子源 eH 400 产品特性：

伯东 KRI 霍尔离子源 eH 400 特性：

1.可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极

2.宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率

3.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统

4.高效的等离子转换和稳定的功率控制

美国 KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数：

KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:

型号	eH 400 / eH 400 LEHO
供电	DC magnetic confinement
- 电压	40-300 V VDC
- 离子源直径	~ 4 cm
- 阳极结构	模块化
电源控制	eHx-3005A
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 离子束发散角度	> 45? (hwhm)
- 阳极	标准或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移动或快接法兰
- 高度	3.0'
- 直径	3.7'
- 加工材料	金属 电介质 半导体
- 工艺气体	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安装距离	6-30”
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

美国 KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域：

KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:

1.离子辅助镀膜 IAD

2.预清洁 Load lock preclean

3.In-situ preclean

4.Low-energy etching

5.III-V Semiconductors

6.Polymer Substrates