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产品描述

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特别适合大中型真空系统, 带有水冷方式, 低成本设计提供高离子电流. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.

尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”

放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A

操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 产品特性：

伯东 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性：

1.水冷 - 与 KRI 霍尔离子源 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流

2.可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极

3.宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率

4.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便

5.高效的等离子转换和稳定的功率控制

美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数：

伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列在售型号及技术参数:

离子源型号	霍尔离子源 eH2000 eH2000LE eH2000HO
Cathode/Neutralizer	F or HC HC HC
电压	50-300V 30-150V 50-250V
电流	10A 15A 15A
散射角度	>45
可充其他	Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
气体流量	2-75sccm
高度	4.0“
直径	5.7“
水冷	是

美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 应用领域：

伯东 KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域：

1. 离子辅助镀膜 IAD

2. 预清洗 Load lock preclean

3. 预清洗 In-situ preclean

4. Direct Deposition

5. Surface Modification

6. Low-energy etching

7. III-V Semiconductors

8. Polymer Substrates