供应

产品描述

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源, 离子束可聚焦, 平行, 散射.

离子束流: >100 mA~1500mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 

采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求.

离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装

美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列 技术参数：

射频离子源 RFICP 系列技术参数:

型号	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge	RFICP 射频	RFICP 射频	RFICP 射频	RFICP 射频	RFICP 射频
离子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
长度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直径	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列 应用领域：

伯东 KRI 射频离子源 RFICP系列离子源应用:

1. 离子辅助镀膜 IBAD( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )

2. 离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )

3. 表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )

4. 离子溅镀IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)

5. 离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)