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富士通半导体FRAM技术开发人员获得日本电气科学技术奖励奖

时间:2013年12月02日浏览:168次转载:http://www.pgjxo.com收藏分享:

  日本电气科学技术奖励会2013年11月27日举办了日本第61届电气科学技术奖励奖的颁奖典礼,奖励了28个获奖项目和75名获奖者,其中包括富士通半导体公司开发出FRAM量产技术的工程师。富士通半导体的三原智、彦坂幸信、王文生此次获得了文部科学大臣奖励奖,日本产业技术综合研究所的柚木彰获得了电气科学技术奖励会会长奖。柚木因通过普及辐射测量技术对国民生活安全做出了贡献而获奖。 

  电气科学技术奖励奖是为了表彰在电气科学技术的相关发明、改进、研究及教育等方面获得杰出成就的人,他们为促进日本工业发展、提高国民生活质量做出了贡献,而且今后也有望取得成果。该奖项由科学技术出版社“欧姆社”(Ohmsha,千代田区神田)于1952年设立,1962年开始由电气科学技术奖励会实施。
  此外,此次获奖的还有参与以下项目的技术人员:三菱电机采用鲁棒主动减震技术开发的全球最快电梯、东芝开发的垂直磁记录用CoPt-SiO2粒状介质、松下运用部件纵嵌技术开发的BGA电流探针及其在LSI封装设计领域的应用与实用化,等等。

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