技术

  某研究机构采用Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碲镉汞晶体进行蚀刻, 并研究碲镉汞晶体蚀刻后的电学特性.

 

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:

基板尺寸	< Ф8 X 1wfr
样品台	直接冷却（水冷）0-90 度旋转
离子源	16cm 考夫曼离子源
均匀性	5% for 4”Ф
硅片刻蚀率	20 nm/min
温度	<100

 

 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE  离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

 

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数：

离子源型号	离子源 KDC 160
Discharge	DC 热离子
离子束流	>650 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	16 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	2-30 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
中和器	灯丝

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 . 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度. 

试验利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体, 发现 180μm 的 p 型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为 n 型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.

通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致.

不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀.

另外,通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高 2—3 个数量级.

伯东版权所有, 翻拷必究!