供应

SPA6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压（I-V）、电容-电压（C-V）以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有着越的测量效率与可靠性。基于模块化的体系结构设计，SPA6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持蕞高1200V电压、30A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测1kHz至2MHz范围内的多频AC电容测量。

SPA6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件，支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作，能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征；也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。详询一八一四零六六三四七六

产品特点

30μV-1200V，1pA-30A宽量程测试能力

测量精度高，蕞高可达0.1%

内置标准器件测试程序，直接调用测试简便 ；

自动实时参数提取、 数据绘图、分析函数

在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线

供灵活的夹具定制方案，兼容性强

免费提供上位机软件及SCPI指令集

典型应用：

纳米、柔性等材料特性分析；

二极管；

MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；

第三代半导体材料/器件；

有机OFET器件；

LED、OLED、光电器件；

半导体电阻式等传感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；

电阻率系数和霍尔效应测量；

太阳能电池；

非易失性存储设备；

失效分析；

主要性能指标

低压脉冲I-V源测量单元

-精度0.1%

-直流、脉冲工作模式

-Z大电压300V，Z大直流4A或脉冲30A可选

-最小电流分辨率1pA

-最小脉宽200μs

-四象限工作区间

-支持二线，四线制测试模式

-支持GUARD保护

高压I-V源测量单元

-精度0.1%

-Z大电压1200V，Z大直流100mA

-最小电流分辨率100pA

-支持二线、四线制测试模式

-支持GUARD保护

LCR表

-中速100ms模式下，基本精度可达0.05%

-测试频率1kHz至2MHz

-支持高压DC偏置，Z大偏置电压1200V

-多功能AC性能测试，C-V、 C-f、 C-t

半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU) ，具有四象限，多量程，支持四线测量等功能，可用于输出与检测高精度、微弱电信号，是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU，如低压脉冲SMU，大电压SMU等。用户可根据测试需求灵活配置不同规格，以及不同数量的搭配，实现测试测试效率与开支的平衡。

灵活可定制化的夹具方案

针对市面上不同封装类型的半导体器件产品，普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS等单管产品的测试，也可与探针台连接，实现晶圆级芯片测试，太阳能电池片测试等。