供应

高频介质损耗测试仪厂家 ； 试验步骤

1试样的制备

 ；试样应从固体材料上截取，为了满足要求，应按相关的标准方法的要求来制备。

 ；应精确地测量厚度，使偏差在士(0. 2%士。.005 mm)以内，测量点应均匀地分布在试样表面。必要时，应测其有效面积。

2条件处理

 ；条件处理应按相关规范规定进行。

3测量

 ；电气测量按本标准或所使用的仪器(电桥)制造商推荐的标准及相应的方法进行。

 ；在1 MHz或更高频率下，必须减小接线的电感对测量结果的影响。此时，可采用同轴接线系统(见图1所示)，当用变电抗法测量时，应提供一个固定微调电容器。

高频介质损耗测试仪厂家 ； 低频电桥

 ；一般为高压电桥，这不仅是由于灵敏度的缘故，也因为在低频下正是高电压技术特别对电介质损耗关注的问题。电容臂和测量臂两者的阻抗大小在数量级上相差很多，结果，绝大部分电压都施加在电容Cx和C}上，使电压分配不平衡 上面给出的电桥平衡条件只是当低压元件对高压元件屏蔽时才成立。同时，屏蔽必须接地，以保证平衡稳定。如图A. 2所示。屏蔽与使用被保护的电容C、和C、是一致的，这个保护对于Ch来说是必不可少的。

 ；由于选择不同的接地方法，实际上形成了两类电桥。

高频电桥
由于它不再是一个高压电桥，因此承受电压U1的臂能容易地引人可调元件；替代法在此适用
 ；还应指出，带有分开的初级绕组的电桥允许电源和检测器互换位置。其平衡与在次级绕组中对应
的安匝数的补偿相符.

高频西林电桥

 ； ； ； ；这种电桥通常在中等的电压下工作，是比较灵活方便的一种电桥；通常电容CN是可变的(在高压电桥中电容CN通常是固定的)，比较容易采用替代法。

 ； ； ； ；由于不期望电容的影响随频率的增加而增加，因此仍可有效使用屏蔽和瓦格纳接地线路。

带瓦格纳(Wagner)接地电路的西林电桥

 ；图A.2示出了使电桥测量臂接线端与屏蔽电位相等的方法。这种方法是通过使用外接辅助桥臂ZA、ZB(瓦格纳接地电路)，并使这两个辅助桥臂的中间点P接到屏蔽并接地。调节辅助桥臂(实际为

ZB)以使在ZA和ZB上的电压分别与电桥的电容臂和测量臂两端的电压相等.显然，这个解决方法包括两个桥即主桥AMNB和辅桥AMPB(或ANPB)同时平衡。通过检测器从一个桥转换到另一个桥逐

次地逼近平衡而最终达到二者平衡.用这种方法精度可以提高一个数量级，这时，实际上该精度只决定于电桥元件的精密度平衡用这种方法精度可以提高一个数量级，这时，实际上该精度只决定

于电桥元件的精密度。

 ； ； ； ； ；必须指出，只有当电源的两端可以对地绝缘时才使用上述特殊的解决方法。如果不可能对地绝缘，则必须使用更复杂的装置(双屏蔽电桥)。

试验报告

 ；试验报告中应给出下列相关内容:

 ；绝缘材料的型号名称及种类、供货形式、取样方法、试样的形状及尺寸和取样日期(并注明试样厚度和试样在与电极接触的表面进行处理的情况)；

 ；试样条件处理的方法和处理时间；

 ；电极装置类型，若有加在试样上的电极应注明其类型；

 ；测量仪器；

 ；试验时的温度和相对湿度以及试样的温度；

 ；施加的电压；

 ；施加的频率；

 ；相对电容率ε(平均值)；

 ；介质损耗因数tans(平均值)；

 ；试验日期；

 ；相对电容率和介质损耗因数值以及由它们计算得到的值如损耗指数和损耗角，必要时，应给出与温度和频率的关系。

测量方法的选择：

 ；测量电容率和介质损耗因数的方法可分成两种:零点指示法和谐振法。

1零点指示法适用于频率不超过50 MHz时的测量。测量电容率和介质损耗因数可用替代法；也就是在接人试样和不接试样两种状态下，调节回路的一个臂使电桥平衡。通常回路采用西林电桥、变压器电桥(也就是互感藕合比例臂电桥)和并联T型网络。变压器电桥的优点:采用保护电极不需任何外加附件或过多操作，就可采用保护电极；它没有其他网络的缺点。

2谐振法适用于10 kHz一几百MHz的频率范围内的测量。该方法为替代法测量，常用的是变电抗法。但该方法不适合采用保护电极。

 ；注:典型的电桥和电路示例见附录。附录中所举的例子自然是不全面的，叙述电桥和侧量方法报导见有关文献和该种仪器的原理说明书。

带瓦格纳(Wagner)接地电路的西林电桥

 ；图A.2示出了使电桥测量臂接线端与屏蔽电位相等的方法。这种方法是通过使用外接辅助桥臂ZA、ZB(瓦格纳接地电路)，并使这两个辅助桥臂的中间点P接到屏蔽并接地。调节辅助桥臂(实际为

ZB)以使在ZA和ZB上的电压分别与电桥的电容臂和测量臂两端的电压相等.显然，这个解决方法包括两个桥即主桥AMNB和辅桥AMPB(或ANPB)同时平衡。通过检测器从一个桥转换到另一个桥逐

次地逼近平衡而最终达到二者平衡.用这种方法精度可以提高一个数量级，这时，实际上该精度只决定于电桥元件的精密度平衡用这种方法精度可以提高一个数量级，这时，实际上该精度只决定

于电桥元件的精密度。

 ； ； ； ； ；必须指出，只有当电源的两端可以对地绝缘时才使用上述特殊的解决方法。如果不可能对地绝缘，则必须使用更复杂的装置(双屏蔽电桥)。

 ；

带屏蔽的简单西林电桥

 ；桥的B点(在测量臂边的电源接线端子)与屏蔽相连并接地。

 ；屏蔽能很好地起到防护高压边影响的作用，但是增加了屏蔽与接到测量臂接线端M和N的各根导线之间电容.此电容承受跨接测量臂两端的电压 这样会引人一个通常使tans的测量精度限于0.1%数量级的误差，当电容CX和CN不平衡时尤为显著。

西林电桥是测量电容率和介质损耗因数的最经典的装置。它可使用从低于工频(50 Hz-60 Hz)直至100 kHz的频率范围，通常测定50 pF-1 000 pF的电容(试样或被试设备通常所具有的电容)这是一个四臂回路(图A. 1)。其中两个臂主要是电容(未知电容Cx和一个无损耗电容C，)。另外两臂(通常称之为测量臂)由无感电阻R，和R:组成，电阻R，在未知电容Cx的对边上，测量臂至少被一个电容C，分流 一般地说，电容C:和两个电阻R，和R:中的一个是可调的。

 ； ； ； ；如果采用电阻R、和(纯)电容C的串联等值回路来表示电容Cx，则图A. 1所示的电桥平衡时导出:

 ； ； ； ； ； ； ；R1

Cs=Cn?——

 ； ； ； ； ； ； ；R2

和tanδx=ωCSRS=ωC1R1

如果电阻R2被一个电容C2分流，则tanδ ；=的公式变为：

Tanδx=ωC1R1---ωC2R2

由于频率范围的不同，实际上电桥构造会有明显的不同。例如一个50 pF-1 000 pF的电容在50 Hz时的阻抗为60 MΩ-3 MΩ，在100 kHz时的阻抗为3 000Ω-1 500Ω.

频率为100 kHz时，桥的四个臂容易有相同数量级的阻抗，而在50 Hz-60 Hz的频率范围内则是不可能的。因此，出现了低频和(相对)高频两种不同形式的电桥.

试验步骤

1试样的制备

 ；试样应从固体材料上截取，为了满足要求，应按相关的标准方法的要求来制备。

 ；应精确地测量厚度，使偏差在士(0. 2%士。.005 mm)以内，测量点应均匀地分布在试样表面。必要时，应测其有效面积。

2条件处理

 ；条件处理应按相关规范规定进行。

3测量

 ；电气测量按本标准或所使用的仪器(电桥)制造商推荐的标准及相应的方法进行。

 ；在1 MHz或更高频率下，必须减小接线的电感对测量结果的影响。此时，可采用同轴接线系统(见图1所示)，当用变电抗法测量时，应提供一个固定微调电容器。

主要产品有：

拉力试验机， ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；塑料球压痕硬度计

维卡热变形试验仪， ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；体积表面电阻率测试仪

海绵泡沫落球回弹试验机， ； ； ； ； ； ； ； ； ；海绵泡沫拉伸强度试验机

耐压试验机，  ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；介电常数测试仪

海绵泡沫压陷硬度测验仪， ； ； ； ； ； ； ； ； ；介质损耗测试仪

简支梁试验机， ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；哑铃制样机

海绵泡沫疲劳压陷试验机， ； ； ； ； ； ； ； ； ；薄膜冲击试验机

熔融指数仪， ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；无转子硫化仪

电压击穿试验仪， ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；摩擦系数仪

低温脆性冲击试验仪 ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ； ；阿克隆磨耗试验机等。