PMST系列半导体静态参数测试仪 功率器件测试设备是武汉普赛斯正向设计,精益打造的高精密电压/电流测试分析系统,是一致能够提供IV,CV、跨导等丰富功能的综合测试系统,具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势,旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET. BJT、 IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试,并具有卓越的测量效率、一致性与可靠性。让任何工程师使用它都能变成行业专家。
针对用户不同测试场景的使用需求,普赛斯全新推出PMST功率器件静态参数测试系统、PMST-MP功率器件静态参数半自动化测试系统、PMST-AP功率器件静态参数全自动化测试系统三款功事器件静态参数测试系统。详询一八一四零六六三四七六;
系统特点和优势:
单台Z大3500V输出;
单台Z大1000A输出,可并联后Z大6000A;
15us的超快电流上升沿;
同步测量;
国标全指标的自动化测试;
系统指标
项目 | 参数 | |
集电极-发射极 | Z大电压. | 3500V |
Z大电流 | 6000A | |
精度 | 0.10% | |
大电压上升沿 | 典型值5ms | |
大电流上升沿 | 典型值15us | |
大电流脉宽 | 50us~500us | |
漏电流测试量程 | 1nA~100mA | |
栅极-发射极 | Z大电压 | 300V |
Z大电流 | 1A(直流)/10A(脉冲) | |
精度 | 0.05% | |
Z小电压分辨率 | 30uV | |
Z小电流分辨率 | 10pA | |
电容测试 | 典型精度 | 0.5% |
频率范围 | 10Hz~1MHz | |
电容值范围 | 0.01pF~9.9999F | |
温控 | 范围 | 25℃~150℃ |
精度 | ?1℃ |
测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等
普赛斯半导体静态参数测试仪 功率器件测试设备集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,皮安级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。
选择普赛斯仪表的理由
武汉普赛斯是国内最早生产源表的厂家,产品系列丰富:产品覆盖不同的电压、电流范围,产已经过了市场的考验、市面有近500台源表在使用;
普赛斯仪表特色:高电流、高电压测试,3500V电压下可测量pA级漏电流,1000A脉冲电流源15us的超快上升沿。
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