供应

概述

电容-电压(C-V)测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性），C-V曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。

MOS电容CV特性测试实验平台

普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR 表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。

进行C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz   之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。详询一八一四零六六三四七六；

系统优势

频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调；

高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%；

内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容- 电压），C-T（电容- 时间），C-F（电容 - 频率）等多项测试测试功能;

兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试；

实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控；

扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配；

基本参数

典型配置

更多有关MOS电容CV特性测试实验平台详情找普赛斯仪表专员为您解答一八一四零六六三四七六

武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。

未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。