供应

PMST系列功率器件静态参数测试系统是武汉普赛斯正向设计，精益打造的高精密电压/电流测试分析系统，是一致能够提供IV，CV、跨导等丰富功能的综合测试系统，具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势，旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET. BJT、 IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试，并具有卓越的测量效率、一致性与可靠性。让任何工程师使用它都能变成行业专家。

针对用户不同测试场最的使用需求，普赛斯全新推出PMST功率器件静态参数测试系统、PMST-MP功率器件静态参数半自动化测试系统、PMST-AP功率器件静态参数全自动化测试系统三款功事器件静态参数测试系统。

从实验室到小批量、大批量产线的全覆盖

从Si IGBT. SiC MOS到GaN HEMT的全国盖

从晶圆、芯片、器件、模块到PM的全覆盖；功率器件igbt静态测试设备1700V/1000A认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；

 产品特点

 高电压、大电流

 具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(最大可扩展至10kV)

 具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

 高精度测量

  nA级漏电流, μΩ级导通电阻

  0.1%精度测量

  模块化配置

  可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

  测试效率高

  内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

  支持国标全指标的一键测试

  扩展性好

  支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

硬件特色与性能优势

大电流输出响应快，无过冲

采用自主开发的高性能脉冲式大电流源、高压源，输出建立过程响应快、无过冲。测试过程中，大电流典型上升时间为15us,脉宽在50-500μs之间可调。采用脉冲大电流的测试方式，可有效降低器件因自身发热带来的误差。

高压测试支持恒压限流，恒流限压模式

采用自主开发的高性能高压源，输出建立与断开响应快、无过冲。在击穿电压测试中，可设定电流限制或者电压限值，防止器件因过压或过流导致损坏。