绝缘材料介质损耗测试仪、半导电介电常数测试仪 仪器特点:
☆接线简单(正接法两根线,反接可使用一根线),所有电缆线均有接地屏蔽,所以都能拖地使用,测量电压缓升、缓降,全自动测量,结果直读,无须换算。
☆多种测量方式 可选择正/反接线、内/外标准电容器和内/外试验电压进行测量。正接线可测量高压介损。
☆ 抗震性能 仪器可承受长途运输中强烈震动颠簸而不会损坏。
☆ 抗干扰能力强 采用自动跟踪干扰抵偿电路,将矢量运算法与移相法结合,有效地消除强电场干扰对测量的影响,适用于500kV及其以下电站的现场试验。
☆CVT测量 独特自激法测量CVT功能,不需外加任何设备,可完成不可拆头CVT的测量。一次接线(三根电缆,不用倒线),一个测量过程(大约1分钟),两个最终测量结果(C1和C2的介损及电容值)。测量过程中文显示,能实时监测自激电流值和试验电压(高压)值。能消除引线对测试的影响,测量结果准确可靠。
☆VFD显示 采用新颖的大屏幕VFD点阵显示器,在严冬和盛夏都能清晰显示。全中文操作菜单,操作提示各种警告信息,直观明了,不需查阅说明书即可操作。
☆打印 仪器附有微型打印机,以中文方式打印输出测量结果及状态。
☆RS232仪器具有RS232接口,与计算机连接便于数据的统计和处理及保存。
☆可选购与计算机通信应用程序。
绝缘材料介质损耗测试仪、半导电介电常数测试仪 材料介电参考:
水 81.5
橡胶 2~3
硬橡胶 4.3
纸 2.5
琥珀 2.8
玻璃 5~10
云母 6~8
无线电瓷 6~6.5
空气 1.000585
石蜡 2.0~2.3
花岗石 8.3
大理石 6.2
食盐 7.5
氧化铍 9
聚氯乙烯3.1~3.5
苯 2.283
油漆 3.5
甘油 45.8
干砂 2.5
高分子材料的损耗
高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地,偶极矩在0~0.5D(德拜)范围内的是非极性高聚物;偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗,其介电常数约为2,介质损耗小于10-4;极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗,并且极性愈大,这两个值愈高。
高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向,因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子,虽然这种高聚物的极性很强,但只要固化比较完全,它的介质损耗就不高。相反,支化使分子链间作用力减弱,分子链活动能力增强,介电常数和介质损耗均增大。
高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化,因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时,链段上的偶极的极化有时完全被抑制,介电性能可降至最低值,同样的道理,非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外,高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。
宏观结构不均勾性的介质损耗
工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和气相,各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同,有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀,造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看,整个电介质的介质损耗必然介于损耗最大的一相和损耗最小的一相之间。
频率范围
10kHz~50MHz
频率分段
(虚拟)
10~99.9999kHz
100~999.999kHz
1~9.99999MHz
10~60MHz
电桥测量灵敏度
电桥在使用过程中,灵敏度直接影响电桥平衡的分辨程度,为保证测量准确度,
希望电桥灵敏度达到一定的水平。通常情况下电桥灵敏度与测量电压,标准电容量
成正比。
在下面的计算公式中,用户可根据实际使用情况估算出电桥灵敏度水平,在这
个水平上的电容与介质损耗因数的微小变化都能够反应出来。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1 Rg/R4 Cn/Cx)
式中:U为测量电压 伏特(V)
ω为角频率2pf=314(50Hz)
Cn标准电容器容量 皮法(pF)
Ig通用指另仪的电流5X10-10 安培(A)
Rg平衡指另仪内阻约1500 欧姆(W)
R4桥臂R4电阻值3183 欧姆(W)
Cx被测试品电容值 皮法(pF)
玻璃的损耗
复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分:电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势,取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下,电导损耗占优势:在高频下,主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗:在高频和低温下,主要是结构损耗,其损耗机理目前还不清楚,可能与结构的紧密程度有关。般来说,简单玻璃的损耗是很小的,这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列,结构紧密,没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加,并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后,使离子所在处点阵受到破坏,结构变得松散,离子活动性增大,造成电导损耗和松弛损耗增加。
陶瓷材料的损耗
陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外,表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。
在结构紧密的陶瓷中,介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能,往往在配方中引人此易熔物质(如黏土),形成玻璃相,这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大,介质损耗也增大。因面一般高频瓷,如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大,主要的原因是:主晶相结构松散,生成了缺固济体、多品型转变等。
极化损耗
在介质发生缓慢极化时(松弛极化、空间电荷极化等),带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。
一些介质在电场极化时也会产生损耗,这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短(约为10-16~10-12s),这在无线电频率(5?1012Hz以下)范围均可认为是极短的,因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化(例如松弛极化、空间电荷极化等)在外电场作用下,需经过较长时间(10-10s或更长)才达到稳定状态,因此会引起能量的损耗。
若外加频率较低,介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化,则不产生极化损耗。若外加频率较高时,介质中的极化跟不上外电场变化,于是产生极化损耗。
宏观结构不均勾性的介质损耗
工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和气相,各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同,有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀,造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看,整个电介质的介质损耗必然介于损耗最大的一相和损耗最小的一相之间。
Q值测量
a.Q值测量范围:2~1023。
b.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。
c.标称误差
项 目GDAT-A
频率范围20kHz~10MHz;
固有误差≤5%
工作误差≤7%
频率范围10MHz~60MHz;
固有误差≤6%
工作误差≤8%
指另装置的技术特性:
工作电压?12V
在50Hz时电压灵敏度不低于1X10-6V/格, 电流灵敏度不低于2X10-9A/格
二次谐波 减不小于25db
三次谐波 减不小于50db
介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。
损耗因子也指耗损正切,是交流电被转化为热能的介电损耗(耗散的能量)的量度,一般情况下都期望耗损因子低些好。
为什么介电常数越大,绝缘能力越强?
因为物质的介电常数和频率相关,通常称为介电系数。
介电常数又叫介质常数,介电系数或电容率,它是表示绝缘能力特性的一个系数。所以理论上来说,介电常数越大,绝缘性能就越好。
注:这个性质不是绝对成立的。
**半导电电阻率核心功能与技术特性**
1. **四端子测量法**
采用四端子法可消除接触电阻的影响,提升测量准确性,尤其适用于微电阻或高阻值测量场景。相较传统两线法或兆欧表,四线法更适合半导电材料的精密检测。
2. **环境适应性**
仪器需在特定温湿度条件下工作(如温度23?2?C、湿度<65%),选择时需确认其稳定性和抗干扰能力,避免环境波动导致数据偏差。部分仪器内置温度补偿功能,可减少温度变化对电阻值的影响。
3. **数据存储与显示**
支持数字显示、数据存储及导出功能的仪器更便于后续分析。例如,3位数字显示屏和自动过载提示能提升操作效率。
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