介电常数介质损耗因数测试仪 低频电桥
一般为高压电桥,这不仅是由于灵敏度的缘故,也因为在低频下正是高电压技术特别对电介质损耗关注的问题。电容臂和测量臂两者的阻抗大小在数量级上相差很多,结果,绝大部分电压都施加在电容Cx和C}上,使电压分配不平衡 上面给出的电桥平衡条件只是当低压元件对高压元件屏蔽时才成立。同时,屏蔽必须接地,以保证平衡稳定。如图A. 2所示。屏蔽与使用被保护的电容C、和C、是一致的,这个保护对于Ch来说是必不可少的。
由于选择不同的接地方法,实际上形成了两类电桥。
介电常数介质损耗因数测试仪 高频西林电桥
这种电桥通常在中等的电压下工作,是比较灵活方便的一种电桥;通常电容CN是可变的(在高压电桥中电容CN通常是固定的),比较容易采用替代法。
由于不期望电容的影响随频率的增加而增加,因此仍可有效使用屏蔽和瓦格纳接地线路。
介质损耗(dielectric loss)指的是绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。
介质损耗因数(dielectric loss factor)指的是衡量介质损耗程度的参数。
玻璃的损耗
复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分:电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势,取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下,电导损耗占优势:在高频下,主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗:在高频和低温下,主要是结构损耗,其损耗机理目前还不清楚,可能与结构的紧密程度有关。般来说,简单玻璃的损耗是很小的,这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列,结构紧密,没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加,并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后,使离子所在处点阵受到破坏,结构变得松散,离子活动性增大,造成电导损耗和松弛损耗增加。
技术参数:
1.Q值测量范围:1—1023;
2.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档;
3.电感测量范围:1nH—140mH;
4.电容直接测量范围:1pF~25nF;
5.主电容调节范围:17pF—240pF
6.准确度150pF以下?1pF;150pF以上?1%
7.信号源频率覆盖范围100kHz—160MHz;
8.合格指示预置功能范围:5~1000
9.环境温度:0℃~ 40℃;
10.消耗功率:约25W;电源:220V?22V,50Hz?2.5Hz。
11.信号源:100KHZ-160MHZ
12.提供厂家授权书原件及产品彩页。
13.电感组LKI-1,分别有0.05uH?、0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH十个电感组成。
14.介质损耗测试夹具:
A:4位数显式调节微杆;
B:极片尺寸:Φ50mm或Φ38mm(二选一);
C:夹具损耗正切值≤4?10-4(1MHz)。
15.液体杯
直径48mm深度7mm,可与S916下极片互换使用。
16.夹具工作特性
极片尺寸:Φ50mm/Φ38mm可选;
极片间距可调范围:≥15mm;夹具插头间距:25mm?0.01mm;
夹具损耗正切值:≤4?10-4(1MHz);
测微杆分辨率:≤0.001mm。
17.配置:
主机 一台
电感 一套
夹具 一套
工程材料:
离子晶体的损耗
离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。
紧密结构的晶体离子都排列很有规则,键强度比较大,如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等,在外电场作用下很难发生离子松弛极化,只有电子式和离子式的位移极化,所以无极化损耗,仅有的一点损耗是由漏导引起的(包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导)。这类晶体的介质损耗功率与频率无关,损耗角正切随频率的升高而降低。因此,以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等
结构松散的离子晶体,如莫来石(3Al2O3?2SiO2)、董青石(2MgO?2Al2O3?5SiO2)等,其内部有较大的空隙或晶格畸变,含有缺陷和较多的杂质,离子的活动范围扩大。在外电场作用下,晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动,产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动,形成热离子松弛,出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大,由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频,只能应用于低频场合。
电气绝缘材料的性能和用途
1、电介质的用途
电介质一般被用在两个不同的方面:
用作电气回路元件的支撑,并且使元件对地绝缘及元件之间相互绝缘;
用作电容器介质
2、影响介电性能的因素
下面分别讨论频率、温度、湿度和电气强度对介电性能的影响。
2.1频率
因为只有少数材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很宽的频率范围内它们的。r和tans几乎是恒定的,且被用作工程电介质材料,然而一般的电介质材料必须在所使用的频率下测量其介质损耗因数和电容率。
电容率和介质损耗因数的变化是由于介质极化和电导而产生,最重要的变化是极性分子引起的偶极子极化和材料的不均匀性导致的界面极化所引起的.
2.2温度
损耗指数在一个频率下可以出现一个最大值,这个频率值与电介质材料的温度有关。介质损耗因数和电容率的温度系数可以是正的或负的,这取决于在测量温度下的介质损耗指数最大值位置。
2.3湿度
极化的程度随水分的吸收量或电介质材料表面水膜的形成而增加,其结果使电容率、介质损耗因数和直流电导率增大。因此试验前和试验时对环境湿度进行控制是必不可少的.
注:湿度的显著影响常常发生在1MHz以下及微波频率范围内
2.4电场强度
存在界面极化时,自由离子的数目随电场强度增大而增加,其损耗指数最大值的大小和位置也随此而变。
在较高的频率下,只要电介质中不出现局部放电,电容率和介质损耗因数与电场强度无关
边缘效应
为了避免边缘效应引起电容率的测量误差,电极系统可加上保护电极。保护电极的宽度应至少为两倍的试样厚度,保护电极和主电极之间的间隙应比试样厚度小。假如不能用保护环,通常需对边缘电容进行修正,表工给出了近似计算公式这些公式是经验公式,只适用于规定的几种特定的试样形状。
此外,在一个合适的频率和温度下,边缘电容可采用有保护环和无保护环的(比较))测量来获得,用所得到的边缘电容修正其他频率和温度下的电容也可满足精度要求。
电极系统
1加到试样上的电极
电极可选用5.1.3中任意一种。如果不用保护环。而且试样上下的两个电极难以对齐时,其中一个电极应比另一个电极大些。已经加有电极的试样应放置在两个金属电极之间,这两个金属电极要比试样上的电极稍小些。对于平板形和圆柱形这两种不同电极结构的电容计算公式以及边缘电容近似计算的经验公式由表1给出.
对于介质损耗因数的测量,这种类型的电极在高频下不能满足要求,除非试样的表面和金属板都非常平整。图1所示的电极系统也要求试样厚度均匀
2试样上不加电极
表面电导率很低的试样可以不加电极而将试样插人电极系统中测量,在这个电极系统中,试样的一侧或两侧有一个充满空气或液体的间隙。
平板电极或圆柱形电极结构的电容计算公式由表3给出。
下面两种型式的电极装置特别合适
2.1空气填充测微计电极
当试样插人和不插人时,电容都能调节到同一个值,不需进行测量系统的电气校正就能测定电容率。电极系统中可包括保护电极.
2.2流体排出法
在电容率近似等于试样的电容率,而介质损耗因数可以忽略的一种液体内进行测量,这种测量与试样厚度测量的精度关系不大。当相继采用两种流体时,试样厚度和电极系统的尺寸可以从计算公式中消去
试样为与试验池电极直径相同的圆片,或对测微计电极来说,试样可以比电极小到足以使边缘效应忽略不计在测微计电极中,为了忽略边缘效应,试样直径约比测微计电极直径小两倍的试样厚度。
漏导损耗
实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质,在外电场的作用下,总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流,这种微小电流称为漏导电流,漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷,或多或少存在一些带电粒子或空位,因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。
结构损耗
在高频电场和低温下,有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大,耗功随频率升高而增大。
试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小,但是当某此原因(如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等)使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。
表征:
电介质在恒定电场作用下,介质损耗的功率为
W=U2/R=(Ed)2S/ρd=σE2Sd
定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为
ω=σE2
在交变电场作用下,电位移D与电场强度E均变为复数矢量,此时介电常数也变成复数,其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。
D,E,J之间的相位关系图
D,E,J之间的相位关系图
如图所示,从电路观点来看,电介质中的电流密度为
J=dD/dt=d(εE)/dt=Jτ iJe
式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度,导致能量损耗;Je,相比较E超前90?,称为无功电流密度。
定义
tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ
式中,δ称为损耗角,tanδ称为损耗角正切值。
损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小,是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗,希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=(tanδ)-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素,希望它的值要高。
售后内容:
一、我公司派工程师负责安装调试及培训。
二、产品自客户验收之日起,免费保修2年,终身维修。
1、设备安装调试:
免费为用户提供所购仪器的安装调试服务。在进行安装调试前用户方应提供相应的准备工作,并予以提前通知,具体安装调试日期双方可以协商而定。设备安装调试由多年行业资深工程师免费进行。保证用户可以正确使用、软件操作和一般维护以及应及故障的处理。
2、培 训:
我公司工程师免费为用户提供操作人员培训,直到操作人员能独立操作为止。
3、设备验收标准:用户方按订货技术要求进行验收。并符合国家标准要求。设备验收在用户方进行并由我公司安装调试技术人员和用户共同在维修报告上签字以确认仪器的调试工作完成。
4、设备维修服务:
我公司产品自用户现场调试验收合格后1年内免费保修,终身维护。在1年免费保修期内产品发生非人为质量问题,我公司为客户提供免费维修。如产品在免费保修期外出现故障,维修服务只适当收取材料成本费。
5、技术支持:对于所需仪器的用户,根据用户的要求提供专业的技术方案。除了常规的仪器服务外,我公司技术部还可为用户提供各种非常规设备的技术支持。
6、售后响应:在接到用户维修邀请后,2小时内做出反应,并给予解决。如未解决,我公司指派工程师及时到达用户现场,解决问题至设备正常使用为止。
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