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高频西林电桥介电常数测试仪

高频西林电桥介电常数测试仪

价格:38450元浏览:26次联系:刘元元 / 15132636097 / 企业:北京北广精仪仪器设备有限公司留言店铺收藏

高频西林电桥介电常数测试仪  高频西林电桥

    这种电桥通常在中等的电压下工作,是比较灵活方便的一种电桥;通常电容CN是可变的(在高压电桥中电容CN通常是固定的),比较容易采用替代法。

    由于不期望电容的影响随频率的增加而增加,因此仍可有效使用屏蔽和瓦格纳接地线路。

高频西林电桥介电常数测试仪  仪器特点:

☆接线简单(正接法两根线,反接可使用一根线),所有电缆线均有接地屏蔽,所以都能拖地使用,测量电压缓升、缓降,全自动测量,结果直读,无须换算。

☆多种测量方式 可选择正/反接线、内/外标准电容器和内/外试验电压进行测量。正接线可测量高压介损。

☆ 抗震性能 仪器可承受长途运输中强烈震动颠簸而不会损坏。

☆ 抗干扰能力强 采用自动跟踪干扰抵偿电路,将矢量运算法与移相法结合,有效地消除强电场干扰对测量的影响,适用于500kV及其以下电站的现场试验。

☆CVT测量 独特自激法测量CVT功能,不需外加任何设备,可完成不可拆头CVT的测量。一次接线(三根电缆,不用倒线),一个测量过程(大约1分钟),两个最终测量结果(C1和C2的介损及电容值)。测量过程中文显示,能实时监测自激电流值和试验电压(高压)值。能消除引线对测试的影响,测量结果准确可靠。

☆ 安全措施

(1)高压保护:试品短路、击穿或高压电流波动,能迅速切断高压输出。

(2)CVT保护:设定自激电压的过流点,一旦超出设置的电流值,仪器自动退出测量,不会损坏设备。

(3)接地检测:仪器有接地检测功能,未接地时不能升压测量。

(4)防误操作:具备防误操作设计,能判别常见接线错误,安全报警。

(5)防“容升”:测量大容量试品时会出现电压抬高的“容升”效应,仪器能自动跟踪输出电压,保持试验电压恒定。

☆VFD显示 采用新颖的大屏幕VFD点阵显示器,在严冬和盛夏都能清晰显示。全中文操作菜单,操作提示各种警告信息,直观明了,不需查阅说明书即可操作。

☆打印 仪器附有微型打印机,以中文方式打印输出测量结果及状态。

☆RS232仪器具有RS232接口,与计算机连接便于数据的统计和处理及保存。

☆可选购与计算机通信应用程序。

 

介电常数,用于衡量绝缘体储存电能的性能.它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真空时的电容量之比。介电常数代表了电介质的极化程度,也就是对电荷的束缚能力,介电常数越大,对电荷的束缚能力越强。电容器两极板之间填充的介质对电容的容量有影响,而同一种介质的影响是相同的,介质不同,介电常数不同

高频电桥
由于它不再是一个高压电桥,因此承受电压U1的臂能容易地引人可调元件;替代法在此适用
 还应指出,带有分开的初级绕组的电桥允许电源和检测器互换位置。其平衡与在次级绕组中对应
的安匝数的补偿相符.

标称误差

 

A(高频)

C(工频)

频率范围

25kHz~10MHz

100kHz~10MHz

固有误差

≤5%?满度值的2%

≤5%?满度值的2%

工作误差

≤7%?满度值的2%

≤7%?满度值的2%

频率范围

10MHz~60MHz

10MHz~160MHz

固有误差

≤6%?满度值的2%

≤6%?满度值的2%

工作误差

≤8%?满度值的2%

≤8%?满度值的2%

工作条件

   a. 环境温度:0℃~ 40℃;

   b.相对湿度:<80%;

   c.电源:220V?22V,50Hz?2.5Hz。

电介质的用途

 电介质一般被用在两个不同的方面:

 用作电气回路元件的支撑,并且使元件对地绝缘及元件之间相互绝缘;

 用作电容器介质

电介质在外电场作用下,其内部会有发热现象,这说明有部分电能已转化为热能耗散掉,电介质在电场作用下,在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率,或简称介质损耗(diclectric loss)。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之一。介质损耗不但消耗了电能,而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。

测试注意事项

a.本仪器应水平安放;

b.如果你需要较精确地测量,请接通电源后,预热30分钟;

c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;

d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;

e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;

f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。

形式

各种不同形式的损耗是综合起作用的。由于介质损耗的原因是多方面的,所以介质损耗的形式也是多种多样的。介电损耗主要有以下形式:

1)漏导损耗

实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质,在外电场的作用下,总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流,这种微小电流称为漏导电流,漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷,或多或少存在一些带电粒子或空位,因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。

2)极化损耗

在介质发生缓慢极化时(松弛极化、空间电荷极化等),带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。

  一些介质在电场极化时也会产生损耗,这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短(约为10-16~10-12s),这在无线电频率(5?1012Hz以下)范围均可认为是极短的,因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化(例如松弛极化、空间电荷极化等)在外电场作用下,需经过较长时间(10-10s或更长)才达到稳定状态,因此会引起能量的损耗。

若外加频率较低,介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化,则不产生极化损耗。若外加频率较高时,介质中的极化跟不上外电场变化,于是产生极化损耗。[2]

3)电离损耗

  电离损耗(又称游离损耗)是由气体引起的,含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时,由于气体的电离吸收能量而造成指耗,这种损耗称为电离损耗。

  4)结构损耗

在高频电场和低温下,有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大,耗功随频率升高而增大。

试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小,但是当某此原因(如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等)使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。

5)宏观结构不均勾性的介质损耗

工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和气相,各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同,有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀,造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看,整个电介质的介质损耗必然介于损耗最大的一相和损耗最小的一相之间。

介质损耗(dielectric loss)指的是绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。

介质损耗因数(dielectric loss factor)指的是衡量介质损耗程度的参数。

频率范围

10kHz~50MHz

频率分段

(虚拟)

10~99.9999kHz

100~999.999kHz

1~9.99999MHz

10~60MHz

技术参数:

1.Q值测量

a.Q值测量范围:2~1023。

b.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。

c.标称误差

     频率范围(100kHz~10MHz): 频率范围(10MHz~160MHz):

     固有误差:≤5%?满度值的2%固有误差:≤6%?满度值的2%

     工作误差:≤7%?满度值的2%工作误差:≤8%?满度值的2%

2.电感测量范围:4.5nH~7.9mH

3.电容测量:1~205

     主电容调节范围:18~220pF

     准确度:150pF以下?1.5pF;150pF以上?1%

     注:大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明

4.  信号源频率覆盖范围

     频率范围CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,

     CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,

5.Q合格指示预置功能:      预置范围:5~1000。

6.其他

a.消耗功率:约25W;

b.净重:约7kg;

c.外型尺寸:(l?b?h)mm:380?132?280。

表征:

电介质在恒定电场作用下,介质损耗的功率为

  W=U2/R=(Ed)2S/ρd=σE2Sd

定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为

ω=σE2

在交变电场作用下,电位移D与电场强度E均变为复数矢量,此时介电常数也变成复数,其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。

D,E,J之间的相位关系图

D,E,J之间的相位关系图

如图所示,从电路观点来看,电介质中的电流密度为

J=dD/dt=d(εE)/dt=Jτ iJe

式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度,导致能量损耗;Je,相比较E超前90?,称为无功电流密度。

定义

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中,δ称为损耗角,tanδ称为损耗角正切值。

损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小,是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗,希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=(tanδ)-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素,希望它的值要高。

特点:

◆ 优化的测试电路设计使残值更小

◆ 高频信号采用数码调谐器和频率锁定技术

◆LED数字读出品质因数,手动/自动量程切换

◆ 自动扫描被测件谐振点,标频单键设置和锁定,大大提高测试速度

满足标准:GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法

介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。

损耗因子也指耗损正切,是交流电被转化为热能的介电损耗(耗散的能量)的量度,一般情况下都期望耗损因子低些好。

电桥测量灵敏度

 

    电桥在使用过程中,灵敏度直接影响电桥平衡的分辨程度,为保证测量准确度,

 

希望电桥灵敏度达到一定的水平。通常情况下电桥灵敏度与测量电压,标准电容量

 

成正比。

 

    在下面的计算公式中,用户可根据实际使用情况估算出电桥灵敏度水平,在这

 

个水平上的电容与介质损耗因数的微小变化都能够反应出来。

 

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1 Rg/R4 Cn/Cx)   

 

         式中:U为测量电压                    伏特(V)

 

ω为角频率2pf=314(50Hz)                            

 

          Cn标准电容器容量                   皮法(pF)

 

          Ig通用指另仪的电流5X10-10            安培(A)

 

          Rg平衡指另仪内阻约1500              欧姆(W)

 

          R4桥臂R4电阻值3183                 欧姆(W)

 

          Cx被测试品电容值                   皮法(pF)

售后服务

一、安装调试:协助试验机的安装,负责试验机的运输、调试。

二、验收标准:试验机按订货技术附件进行验收。终验收在买方进行,对用户提供的试样进行试验,并提供测试报告。

三、培训:安装调试同时,在仪器操作现场一次性免费培训操作人员2-3名,该操作人员应是由需方选派的长期稳定的员工,培训后能够对设备基本原理、软件使用、操作、维护事项理解和应用,使人员能够独立操作设备对样品进行检测、分析,同时能进行基本的维护。

四、软件升级:终生免费提供新版本控制软件。

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