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高频介电常数测试仪北京北广精仪厂家

高频介电常数测试仪北京北广精仪厂家

价格:28450元浏览:105次联系:刘元元 / 15132636097 / 企业:北京北广精仪仪器设备有限公司留言店铺收藏

高频介电常数测试仪北京北广精仪厂家   介电常数测试仪能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。该仪器广泛地用于科研机关、学校、工厂等单位。

高频介电常数测试仪北京北广精仪厂家   A型高频和C型高频主要区别

 

A

C

测试频率范围

25kHz~60MHz

100kHz~160MHz

主调电容控制

传感器

步进马达

电容搜索

介电常数,用于衡量绝缘体储存电能的性能.它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真空时的电容量之比。介电常数代表了电介质的极化程度,也就是对电荷的束缚能力,介电常数越大,对电荷的束缚能力越强。电容器两极板之间填充的介质对电容的容量有影响,而同一种介质的影响是相同的,介质不同,介电常数不同。

高分子材料的损耗

高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地,偶极矩在0~0.5D(德拜)范围内的是非极性高聚物;偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗,其介电常数约为2,介质损耗小于10-4;极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗,并且极性愈大,这两个值愈高。

高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向,因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子,虽然这种高聚物的极性很强,但只要固化比较完全,它的介质损耗就不高。相反,支化使分子链间作用力减弱,分子链活动能力增强,介电常数和介质损耗均增大。

高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化,因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时,链段上的偶极的极化有时完全被抑制,介电性能可降至最低值,同样的道理,非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外,高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。

频率范围

10kHz~50MHz

频率分段

(虚拟)

10~99.9999kHz

100~999.999kHz

1~9.99999MHz

10~60MHz  

技术参数:

1.Q值测量

a.Q值测量范围:2~1023。

b.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。

c.标称误差

     频率范围(100kHz~10MHz): 频率范围(10MHz~160MHz):

     固有误差:≤5%?满度值的2%固有误差:≤6%?满度值的2%

     工作误差:≤7%?满度值的2%工作误差:≤8%?满度值的2%

2.电感测量范围:4.5nH~7.9mH

3.电容测量:1~205

     主电容调节范围:18~220pF

     准确度:150pF以下?1.5pF;150pF以上?1%

     注:大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明

4.  信号源频率覆盖范围

     频率范围CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,

     CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,

5.Q合格指示预置功能:      预置范围:5~1000。

6.B-测试仪正常工作条件

a.  环境温度:0℃~ 40℃;

b.相对湿度:<80%;

c.电源:220V?22V,50Hz?2.5Hz。

7.其他

a.消耗功率:约25W;

b.净重:约7kg;

c.外型尺寸:(l?b?h)mm:380?132?280。

玻璃的损耗

复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分:电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势,取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下,电导损耗占优势:在高频下,主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗:在高频和低温下,主要是结构损耗,其损耗机理目前还不清楚,可能与结构的紧密程度有关。般来说,简单玻璃的损耗是很小的,这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列,结构紧密,没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加,并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后,使离子所在处点阵受到破坏,结构变得松散,离子活动性增大,造成电导损耗和松弛损耗增加。

宏观结构不均勾性的介质损耗

工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和气相,各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同,有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀,造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看,整个电介质的介质损耗必然介于损耗最大的一相和损耗最小的一相之间。

 

工频介电常数测试仪测量范围及误差

 

    本电桥的环境温度为20?5℃,相对湿度为30%-80%条件下,应满足

 

下列表中的技术指示要求。

 

    在Cn=100pF    R4=3183.2(W)(即10K/π)时

 

    测量项目      测量范围            测量误差              

 

    电容量Cx       40pF--20000pF      ?0.5%  Cx?2pF     

 

    介质损耗tgd      0~1              ?1.5%tgdx?0.0001

 

    在Cn=100pF      R4=318.3(W)(即1K/π)时

 

    测量项目      测量范围            测量误差              

 

    电容量Cx       4pF--2000pF      ?0.5%  Cx?3pF     

 

介质损耗tgd      0~0.1          ?1.5%tgdx?0.0001

标准配置:

高配Q表 一只  

试验电极 一只(c类)

电感     一套(9只)

电源线   一条

说明书   一份

合格证   一份

保修卡   一份

离子晶体的损耗

离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。

紧密结构的晶体离子都排列很有规则,键强度比较大,如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等,在外电场作用下很难发生离子松弛极化,只有电子式和离子式的位移极化,所以无极化损耗,仅有的一点损耗是由漏导引起的(包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导)。这类晶体的介质损耗功率与频率无关,损耗角正切随频率的升高而降低。因此,以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等

结构松散的离子晶体,如莫来石(3Al2O3?2SiO2)、董青石(2MgO?2Al2O3?5SiO2)等,其内部有较大的空隙或晶格畸变,含有缺陷和较多的杂质,离子的活动范围扩大。在外电场作用下,晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动,产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动,形成热离子松弛,出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大,由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频,只能应用于低频场合。

测试注意事项

a.本仪器应水平安放;

b.如果你需要较精确地测量,请接通电源后,预热30分钟;

c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;

d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;

e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;

f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。

使用和保养

介电常数测试仪是比较精密的阻抗测量仪器,在合理使用和注意保养情况下,才能保证长期稳定和较高的测试精度。

a.熟悉本说明书,正确地使用仪器;

b.使仪器经常保持清洁、干燥;

c.本仪器保用期为18个月,如发现机械故障或失去准确度,可以原封送回本厂,免费修理。

满足标准:GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法

电介质的用途

 电介质一般被用在两个不同的方面:

 用作电气回路元件的支撑,并且使元件对地绝缘及元件之间相互绝缘;

 用作电容器介质

试样的几何形状:

 测定材料的电容率和介质损耗因数,最好采用板状试样,也可采用管状试样。

 在测定电容率需要较高精度时,最大的误差来自试样尺寸的误差,尤其是试样厚度的误差,因此厚度应足够大,以满足测量所需要的精确度。厚度的选取决定于试样的制备方法和各点间厚度的变化。对1%的精确度来讲,1.5 mm的厚度就足够了,但是对于更高精确度,最好是采用较厚的试样,例如6 mm-12 mm。测测量厚度必须使测量点有规则地分布在整个试样表面上,且厚度均匀度在士1%内。如果材料的密度是已知的,则可用称量法测定厚度 选取试样的面积时应能提供满足精度要求的试样电容。测量10 pF的电容时,使用有良好屏蔽保护的仪器。由于现有仪器的极限分辨能力约1 pF,因此试样应薄些,直径为10 cm或更大些。

 需要测低损耗因数值时,很重要的一点是导线串联电阻引人的损耗要尽可能地小,即被测电容和该电阻的乘积要尽可能小同样,被测电容对总电容的比值要尽可能地大第一点表示导线电阻要尽可能低及试样电容要小。第二点表示接有试样桥臂的总电容要尽可能小,且试样电容要大。因此试样电容最好取值为20 pF,在测量回路中,与试样并联的电容不应大于约5 pF。

边缘效应

 为了避免边缘效应引起电容率的测量误差,电极系统可加上保护电极。保护电极的宽度应至少为两倍的试样厚度,保护电极和主电极之间的间隙应比试样厚度小。假如不能用保护环,通常需对边缘电容进行修正,表工给出了近似计算公式这些公式是经验公式,只适用于规定的几种特定的试样形状。

 此外,在一个合适的频率和温度下,边缘电容可采用有保护环和无保护环的(比较))测量来获得,用所得到的边缘电容修正其他频率和温度下的电容也可满足精度要求。

电离损耗

  电离损耗(又称游离损耗)是由气体引起的,含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时,由于气体的电离吸收能量而造成指耗,这种损耗称为电离损耗。

试验报告

 试验报告中应给出下列相关内容:

 绝缘材料的型号名称及种类、供货形式、取样方法、试样的形状及尺寸和取样日期(并注明试样厚度和试样在与电极接触的表面进行处理的情况);

 试样条件处理的方法和处理时间;

 电极装置类型,若有加在试样上的电极应注明其类型;

 测量仪器;

 试验时的温度和相对湿度以及试样的温度;

 施加的电压;

 施加的频率;

 相对电容率ε(平均值);

 介质损耗因数tans(平均值);

 试验日期;

 相对电容率和介质损耗因数值以及由它们计算得到的值如损耗指数和损耗角,必要时,应给出与温度和频率的关系。

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