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GEIC693CHS392

在测量漏源电压VDS的上升时间tr和下降时间tf，或流经Q1和Q2的电流上升率di/dt 时，可以很明显看到这一点。这也表示，我们可以很简单地通过减缓Q1或Q2的通断速度来降低电磁干扰水平。事实正是如此，延长开关时间的确对频率高于 f=1/πtr的谐波有很大影响。不过，此时必须在增加散热和降低损耗间进行折中。尽管如此，对这些参数加以控制仍是一个好方法

GEIC693CHS392

它有助于在电磁干扰和热性能间取得平衡。具体可以通过增加一个小阻值电阻(通常小于5Ω)实现，该电阻与Q1和Q2的栅极串联即可控制tr和tf，你也可以给栅极电阻串联一个 “关断二极管”来独立控制过渡时间tr或tf(见图3)。这其实是一个迭代过程，甚至连经验最丰富的电源设计人员都使用这种方法。我们的最终目标是通过放慢晶体管的通断速度，使电磁干扰降低至可接受的水平，同时保证其温度足够低以确保稳定性。

GEIC693CHS392

IC693APU300
IC693BEM331
IC693CBL328 
IC693CBL329 
IC693CBL330
IC693CHS391
IC693CHS392
IC693CHS398
IC693CHS398
IC693CMM302
IC693CMM311
IC693CMM321
IC693CMM321-CC
IC693CMM321-JJ
IC693CPU350
IC693CPU350
IC693CPU364
IC693CPU372
IC693CPU374
IC693CPU374
IC693CPU374
IC693DNM200
IC693DNS201 
IC693DSM302
IC693MDL350
IC693MDL655
IC693MDL655
IC693MDL655
IC693MDL660
IC693MDL740
IC693MDL752
IC693MDL752
IC693MDL754
IC693MDL930
IC693MDL940
IC693MDR390
IC693NIU004
IC693PBM200
IC693PCM301