绝缘材料介电常数测试仪,介质损耗因数测试仪主要特点:
空洞共振腔适用于CCL/印刷线路板,薄膜等非破坏性低介电损耗材料量测。 印电路板主要由玻纤与环氧树脂组成的, 玻纤介电常数为5~6, 树脂大约是3, 由于树脂含量, 硬化程度, 溶剂残留等因素会造成介电特性的偏差, 传统测量方法样品制作不易, 尤其是薄膜样品( 小于 10 mil) 量测值偏低,。
绝缘材料介电常数测试仪,介质损耗因数测试仪 介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。
损耗因子也指耗损正切,是交流电被转化为热能的介电损耗(耗散的能量)的量度,一般情况下都期望耗损因子低些好。
方法 | 频率的推荐范围 |
1、西林电桥 | 0.10 MHZ及以下 |
2、变压器电桥 | 15 HZ~50 MHZ |
3、并联T型网络 | 50 KHZ~30 MHZ |
4、谐振法 | 10 KHZ~260 MHZ |
5、变电纳法 | 10 KHZ~100 MHZ |
技术参数:
1.Q值测量
a.Q值测量范围:2~1023。
b.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。
c.标称误差
频率范围(100kHz~10MHz): 频率范围(10MHz~160MHz):
固有误差:≤5%?满度值的2% 固有误差:≤6%?满度值的2%
工作误差:≤7%?满度值的2% 工作误差:≤8%?满度值的2%
2.电感测量范围:4.5nH~7.9mH
3.电容测量:1~205
主电容调节范围:18~220pF
准确度:150pF以下?1.5pF; 150pF以上?1%
注:大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明
Capacitance measurement: 1 ~ 205
Adjustment range of main capacitance: 18 ~ 220pF
Accuracy: ? 1.5pf below 150pF; Above 150pF ? 1%
Note: for capacitance measurement larger than the direct measurement range, see the instructions on the following page
信号源频率覆盖范围频率范围CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,
CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,
5.Q合格指示预置功能: 预置范围:5~1000。Q qualification indication preset function: preset range: 5 ~ 1000.
6.B-测试仪正常工作条件
环境温度:0℃~ 40℃;b.相对湿度:<80%;
c.电源:220V?22V,50Hz?2.5Hz。
7.其他
a.消耗功率:约25W;
b.净重:约7kg;
外型尺寸:(l?b?h)mm:380?132?280。other
Power consumption: About 25W;Net weight: About 7kg;External dimension: (L ? b ? h)mm:380 ? one hundred and thirty-two ? 280。
安全措施
(1)高压保护:试品短路、击穿或高压电流波动,能迅速切断高压输出。
(2)CVT保护:设定自激电压的过流点,一旦超出设置的电流值,仪器自动退出测量,不会损坏设备。
(3)接地检测:仪器有接地检测功能,未接地时不能升压测量。
(4)防误操作:具备防误操作设计,能判别常见接线错误,安全报警。
(5)防“容升”:测量大容量试品时会出现电压抬高的“容升”效应,仪器能自动跟踪输出电压,保持试验电压恒定。
西林电桥是测量电容率和介质损耗因数的 经典的装置。它可使用从低于工频(50 Hz-60 Hz)直 100 kHz的频率范围,通常测定 50 pF-1 000 pF的电容(试样或被试设备通常所具有的电容)这是一个四臂回路(图A. 1)。其中两个臂主要是电容(未知电容 Cx和一个无损耗电容C,)。另外两臂(通常称之为测量臂)由无感电阻R,和 R:组成,电阻 R,在未知电容 Cx的对边上,测量臂 少被一个电容 C,分流 一般地说,电容 C:和两个电阻R,和R:中的一个是可调的。
如果采用电阻R、和(纯)电容 C 的串联等值回路来表示电容 Cx,则图 A. 1所示的电桥平衡时导出 :
R1
Cs=Cn?——
R2
和tanδx=ωCSRS=ωC1R1
如果电阻 R2被一个电容C2分流,则tanδ = 的公式变为:
Tanδx=ωC1R1---ωC2R2
由于频率范围的不同,实际上电桥构造会有明显的不同。例如一个50 pF-1 000 pF的电容在50 Hz时的阻抗为 60 MΩ-3 MΩ,在 100 kHz时的阻抗为 3 000 Ω-1 500Ω.
频率为 100 kHz时,桥的四个臂容易有相同数量级的阻抗,而在 50 Hz-60 Hz的频率范围内则是不可能的。因此,出现了低频和(相对)高频两种不同形式的电桥.
带屏蔽的简单西林电桥
桥的B点(在测量臂边的电源接线端子)与屏蔽相连并接地。
屏蔽能很好地起到防护高压边影响的作用,但是增加了屏蔽与接到测量臂接线端 M和 N的各根导线之间电容.此电容承受跨接测量臂两端的电压 这样会引人一个通常使 tans的测量精度限于0.1%数量级的误差,当电容CX和CN不平衡时尤为显著。
高频电桥
由于它不再是一个高压电桥,因此承受电压U1的臂能容易地引人可调元件;替代法在此适用
还应指出,带有分开的初级绕组的电桥允许电源和检测器互换位置。其平衡与在次级绕组中对应
的安匝数的补偿相符.
宏观结构不均勾性的介质损耗
工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和气相,各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同,有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀,造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看,整个电介质的介质损耗必然介于损耗 大的一相和损耗 小的一相之间。
极化损耗
在介质发生缓慢极化时(松弛极化、空间电荷极化等),带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。
一些介质在电场极化时也会产生损耗,这种损耗一般称极化损耗。位移极化从建立极化到其稳定所需时间很短(约为10-16~10-12s),这在无线电频率(5?1012Hz 以下)范围均可认为是极短的,因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化(例如松弛极化、空间电荷极化等)在外电场作用下,需经过较长时间(10-10s或更长)才达到稳定状态,因此会引起能量的损耗。
若外加频率较低,介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化,则不产生极化损耗。若外加频率较高时,介质中的极化跟不上外电场变化,于是产生极化损耗。
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